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Vishay全新高速红外发射器,亮度提高30%

关键词:Vishay 红外发射器

时间:2019-11-20 13:42:31      来源:中电网

850 nm、890 nm和940 nm器件采用带侧光挡板的小型0805表面贴封装,辐照强度达13 mW/sr,工作温度范围-40℃至+110℃ 
 
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新型2 mm x 1.25 mm x 0.8 mm 0805表面贴装高速红外(IR)发射器系列---VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01,该系列器件是业内带侧光挡板的最小封装,扩充其光电产品组合。Vishay Semiconductors VSMY5850X01(850 nm)、VSMY5890X01(890 nm)和VSMY5940X01(940 nm)器件采用SurfLight™表面发射器芯片技术,辐照强度比前代器件提高30 %,工作温度范围-40℃至+110℃。

传统PCB封装采用全透明环氧树脂内嵌发射器芯片,导致侧光在摄像图像中产生光晕。日前发布的红外发射器侧壁不透明,防止多余的侧向辐照光,不需要外部遮挡,如橡胶圈,从而简化设计,非常适合用于虚拟或增强现实应用的位置跟踪。
 
与全向发光的标准红外发射器不同,SurfLight VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01几乎所有光和功率都从芯片顶部发出。由于大部分光集中于表面,因此红外发射器辐照强度可达13 mW/sr,适用于接近传感器、光开关和小型光障。器件亮度半强角为± 60°,开关速度仅为7 ns,100 mA条件下正向电压低至1.6 V。
 
VSMY5850X01、VSMY5890X01和VSMY5940X01符合严格的AEC-Q101标准,适用于汽车应用,仓储寿命为168小时,湿度敏感度等级达到J-STD-020标准3级。器件支持无铅(Pb)回流焊工艺,符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。
 
新型红外发射器现可提供样品并已实现量产,供货周期为10周。

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